foto1
Kolejna recenzja - Natec Alfama Ring Light
foto1
Kolejna recenzja - Natec Alfama Ring Light
foto1
Kolejna recenzja - Natec Alfama Ring Light
foto1
Kolejna recenzja - Natec Alfama Ring Light
foto1
Kolejna recenzja - Natec Alfama Ring Light
e-mail: blogotech@blogotech.eu
Phone: +48


Monitor Acer B248Y

Monitor do biura z wbudowaną kamerą

Więcej

Mysz Havit MS1021W

Świetnie wyprofilowana obudowa, proste oprogramowanie...

Więcej

Acer Spin 3

Unikalna konstrukcja komputera konwertowalnego.

Więcej

Xblitz S10 Duo

Kamera samochodowa rejestrująca obraz z przodu i z tyłu pojazdu.

Więcej

Kalendarz

Pn Wt Śr Cz Pt So N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31

Podziel się ze mną swoimi uwagami na temat mojego bloga, co Ci się podoba, co Ci się nie podoba, jakie recenzje chciałbyś tu zobaczyć itp.

Kliknij mnie

 

Podczas wczorajszej konferencji prasowej, Intel i Micron zaprezentowały nowe podejście do przechowywania danych w pamięci nieulotnej. Obie firmy przedstawiły nowy rodzaj pamięci, które mają zrewolucjonizować rynek.

Nowy chip nazwany 3D XPoint ma być największym przełomem w pamięciach nieulotnych od 1989 roku. Według obu firm nowa pamięć może być wykorzystana we wszystkich urządzeniach: od telefonów komórkowych poprzez komputery stacjonarne i laptopy po serwery i superkomputery.
W nowym układzie zrezygnowano z tradycyjnych tranzystorów, które tworzą rdzeń dzisiejszych pamięci flash. Zamiast tego, wykorzystano materiał, który zmienia swoje właściwości fizyczne generując duży lub niski opór elektryczny co odpowiada stanom 1 i 0. Komórki tego materiału ułożone są warstwowo tworząc swoistą siatkę 3D. Każda z tych komórek może być zapisana indywidualnie. Dla porównania, stosowane dziś powszechnie pamięci oparte są na tranzystorach NAND. Działają one przesuwając elektrony po obu stronach tzw. pływającej bramy zmieniając swój stan z 0 na 1. Problemem jest to, że aby zmienić stan pamięci trzeba ją wcześniej "wyczyścić" a więc przywrócić do stanu początkowego. I można to zrobić tylko dla całego bloku takich tranzystorów jednocześnie. W przypadku 3D XPoint, stan każdej komórki można zmienić indywidualnie. Według Intela, działanie nowej pamięci będzie tysiąc razy szybsze w porównaniu do konwencjonalnych pamięci NAND. A na dodatek będzie ona bardziej odporna na uszkodzenia. Kolejną zaletą tych chipów jest to, że mogą one być układane w warstwy 10 razy gęstsze niż tranzystory NAND.
Podobno nowe kości pamięci są juz produkowane, chociaż nie ma jeszcze informacji kiedy mają one trafić do pierwszych komputerów. Nie ujawniono również ceny tych pamięci.

Znajdziesz mnie:

Subscribe on YouTube